DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.8A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 443pF @ 6V
Potencia - Máxima: 740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: TSOT-26
Número de producto base: DMP2110