DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1500pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.2W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: V-DFN3030-8 (Type K)
Número de producto base: DMT3009