DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1550pF @ 10V
Potencia - Máxima: 800mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-UFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2030-6 (Type B)
Número de producto base: DMN2014