ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Potencia - Máxima: 1.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Número de producto base: ZXMC10