ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.17A, 1.64A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Potencia - Máxima: 870mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Número de producto base: ZXMHC3A01