DMN3016LDV-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 21A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1184pF @ 15V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerDI3333-8
Número de producto base: DMN3016