DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.1A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1003pF @ 6V
Potencia - Máxima: 1.36W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2020-6 (Type B)
Número de producto base: DMC1030