DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 870mA, 640mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 60.67pF @ 16V
Potencia - Máxima: 530mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-563
Número de producto base: DMG1016