DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Potencia - Máxima: 580mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2020-6 (Type B)
Número de producto base: DMC67