DMG1029SV-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 500mA, 360mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Potencia - Máxima: 450mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-563
Número de producto base: DMG1029