AON5816 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 12A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2170pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.7W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-WFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-DFN-EP (2x5)
Número de producto base: AON581