Fabricante: onsemi
Serie: -
Embalaje: Bulk
Estado de la pieza: Active
Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 500 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50 V
Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 4.7 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 50 @ 20mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 40mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: 250 MHz
Potencia - Máxima: 300 mW
Calificación: -
Calificación: -
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 3-SSIP
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-SPA
