Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Embalaje: Bag
Estado de la pieza: Active
Tipo de transistor: NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 500 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 200 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Potencia - Máxima: 750 mW
Frecuencia - Transición: 80MHz
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 14-DIP (0.300\ 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor: 14-DIP
