Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 2 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 30 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 210mV @ 50mA, 1A
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Potencia - Máxima: 325 mW
Frecuencia - Transición: 170MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1010D-3
