Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 18 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 160 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Corriente de corte del colector (máx.): 1µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Potencia - Máxima: 180 W
Frecuencia - Transición: 30MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-3PL
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(L)
Número de producto base: TTA0002
