PMEG2010BELD,315 NXP Semiconductors Diodos individuales

Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 20 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 1A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 490 mV @ 1 A
Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 1.6 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 200 µA @ 20 V
Capacitancia @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOD-882
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1006-2
Temperatura de funcionamiento - Unión: 150°C (Max)