PMEG2015EH,115 NXP Semiconductors Diodos individuales

Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 20 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 1.5A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 660 mV @ 1.5 A
Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 70 µA @ 20 V
Capacitancia @ Vr, F: 50pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOD-123F
Paquete de dispositivo del proveedor: SOD-123F
Temperatura de funcionamiento - Unión: 150°C (Max)