NESG340033-T1B-A Renesas Electronics Corporation Transistores de RF bipolares

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 5.5V
Frecuencia - Transición: 10GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 0.7dB @ 1GHz
Ganar: 12dB
Potencia - Máxima: 480mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 200 @ 15mA, 3.3V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 400mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Calificación: -
Calificación: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-MINIMOLD