NTE299 NTE Electronics, Inc Transistores de RF bipolares

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 35V
Frecuencia - Transición: -
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 4W
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 10 @ 100mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 1A
Temperatura de funcionamiento: 125°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-202 Long Tab
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-202