NTE319 NTE Electronics, Inc Transistores de RF bipolares

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 20V
Frecuencia - Transición: -
Figura de ruido (dB típico a f): 2.7dB @ 45MHz
Ganar: 29dB
Potencia - Máxima: 175mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 20 @ 2mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): -
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-72