MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores de RF bipolares

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 5.3V
Frecuencia - Transición: 12.5GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.45dB @ 1GHz
Ganar: 11.8dB
Potencia - Máxima: 800mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor: S-Mini
Número de producto base: MT3S113