2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation Transistores de RF bipolares

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 10V
Frecuencia - Transición: 10GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.8dB @ 2GHz
Ganar: 9dB
Potencia - Máxima: 200mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 35mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT23-3 (TO-236)