G3S12005D Global Power Technology-GPT Diodos individuales

Fabricante: Global Power Technology-GPT
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Estado del producto: Active
Tecnología: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 1200 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 34A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.7 V @ 5 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Capacitancia @ Vr, F: 475pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: -
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263
Temperatura de funcionamiento - Unión: -55°C ~ 175°C