WNSC12650T6J WeEn Semiconductors Diodos individuales

Fabricante: WeEn Semiconductors
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 650 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 12A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.8 V @ 12 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 60 µA @ 650 V
Capacitancia @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 4-VSFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 5-DFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento - Unión: 175°C
Número de producto base: WNSC1