G5S12020B Global Power Technology-GPT Diodos - Rectificadores - Matrices

Fabricante: Global Power Technology-GPT
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT); Tape & Box (TB)
Estado del producto: Active
Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 1200 V
Corriente - Promedio rectificada (Io) (por diodo): 33A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.7 V @ 10 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Temperatura de funcionamiento - Unión: -55°C~175°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247AB