Fabricante: International Rectifier
Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 42A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2950 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO-251-3-21
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
