IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 26A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 410µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 36 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1544 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 95W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-3
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: IPB60R120